| 仕事No. | 26010-00218061 |
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| 情報元 | ハローワークインターネット |
| 拠点名 | Anjet Research Lab株式会社 |
| 特 徴 |
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| 雇用形態 | 正社員 |
| 勤務地 | 京都府京都市西京区御陵大原1‐39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 |
| 交 通 | 阪急・桂駅 |
| 業務名 | 【SiC/GaNデバイスの設計開発】即戦力採用 |
| 仕事内容 | 化合物半導体を用いたパワーデバイスの設計・開発業務をお任せいたします。入社後はご希望に応じて開発工程の他ポジションに挑戦いただくことも可能です。<具体的な業務内容の例>・SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET、SBDなど)の構造設計・シミュレーション・TCADを活用したデバイスパフォーマンスの最適化・試作～特性評価(電気的・熱的)・顧客要求仕様の分析と製品スペック設計・量産移管に向けたプロセス部門との連携および最適化支援 仕事内容の変更範囲:変更無し |
| 応募資格 |
[学歴] 必須 高専以上 専攻について 理科系学部・学科 [必要な経験等] 必要な経験・知識・技能等 必須 ・パワー半導体デバイスのチップ設計、開発(3年以上必須) ・英語又は中国語日常会話(あれば尚可) [必要な免許・資格] 免許・資格不問 |
| 勤務期間 | 雇用期間の定めなし |
| 勤務時間 |
裁量労働制(1)09時00分〜18時00分 [休憩時間] 60分 [時間外労働時間] なし |
| 休み |
[休日] 土曜日,日曜日,祝日,その他 [週休二日制] 毎週 [年間休日数] 124日 |
| 給 与 | 425,000円〜588,000円 |
| 待遇・福利厚生 | [賞与]:なし [通勤手当]:実費支給(上限あり) [育児休業取得実績]:該当者なし [加入保険等]:雇用保険,労災保険,健康保険,厚生年金 [入居可能住宅]:なし |
| 年齢 | [年齢制限]:制限あり [年齢制限範囲]:〜64歳 [年齢制限該当事由]:定年を上限 [年齢制限の理由]:定年の定めがある常用雇用のため |
| その他 | [マイカー通勤] 可 [利用可能託児施設] なし [転勤の可能性] なし [定年制] あり [再雇用制度] あり [採用人数] 2人 [求人に関する特記事項] *昇給については成果・実績に応じて配分あり*服装自由*社内ソフトドリンク無料■本ポジションの魅力・独自性◆「工場の制約」から解放された、真のファブレス開発 「作りたいデバイスに最適な工場」を世界中から選定できます。 「物理法則とスペック」に向き合える、設計者としての本質的な仕事に集中できます。◆SiC/GaN開発を「本業」として、全精力を注げる環境 事業の100%を次世代パワーデバイスに特化。 [受付年月日] 2026年1月5日 [紹介期限日] 2026年3月31日 [受理安定所] 京都西陣公共職業安定所 |
| 社 名 | Anjet Research Lab株式会社 |
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| 事業内容 | 業界最先端のSiC、GaNなどのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計会社です |
| 所在地 | 〒615-8245 京都府京都市西京区御陵大原1‐39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 |
| 従業員数 | 企業全体:13人 就業場所:12人 うち女性:1人 うちパート:0人 |
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応募方法 こちらの求人はハローワークの情報を転載しております。その為求人が既に終了している場合がございますので、整理番号をお控えの上、最寄りのハローワークにお問合わせ下さい
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