| 仕事No. | 13150-28036361 |
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| 情報元 | ハローワークインターネット |
| 拠点名 | 国立研究開発法人 情報通信研究機構 |
| 特 徴 |
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| 雇用形態 | その他 |
| 勤務地 | 東京都小金井市貫井北町4-2-1 |
| 交 通 | 武蔵小金井駅・国分寺駅からバス情報通信機構下車2分/駅 |
| 業務名 | 2027T-5 酸化ガリウムデバイスの設計・試作技術に関 |
| 仕事内容 | 【酸化ガリウムデバイスの設計・試作技術に関する研究開発支援】新規ワイドギャップ半導体である酸化ガリウム(Ga2O3)を中心とした電子デバイスの研究開発において、TCADを用いたプロセス/デバイスシミュレーションによるデバイス構造の設計・特性解析を主に担当する。あわせて、クリーンルームにおけるデバイス試作プロセス、作製したデバイスの電気特性評価、実験結果とシミュレーションの比較解析による設計へのフィードバックを担当する。また、実験装置・計算機環境の運用管理、実験データの整理・管理、外部施設の利用等、研究室が実施する研究開発に係る技術業務を担当する。※業務の変更範囲:変更なし |
| 応募資格 |
[必要な経験等] 必要な経験・知識・技能等 必須 ■半導体デバイス又は電子材料に関する知識を有すること■半導体 デバイスの解析(シミュレーションを含む)に関する業務を主体的 に遂行できる。他求人に関する特記事項に記載。 |
| 勤務期間 | 雇用期間の定めあり(4ヶ月以上) |
| 勤務時間 |
[休憩時間] 60分 [時間外労働時間] あり |
| 休み |
[休日] 土曜日,日曜日,祝日 [年間休日数] 121日 |
| 給 与 | 485,000円〜516,000円 |
| 待遇・福利厚生 | [賞与]:なし [通勤手当]:実費支給(上限あり) [育児休業取得実績]:あり [加入保険等]:雇用保険,労災保険,健康保険,厚生年金 [入居可能住宅]:なし |
| 年齢 | [年齢制限]: [年齢制限範囲]: [年齢制限該当事由]: [年齢制限の理由]: |
| その他 | [マイカー通勤] 不可 [利用可能託児施設] なし [転勤の可能性] 転勤なし [定年制] なし [再雇用制度] なし [採用人数] 1人 [求人に関する特記事項] 【応募方法】応募書類を東京・小金井の住所に郵送または以下URLよりご応募ください。メールアドレスがあれば履歴書に記載をお願いします。選考終了後速やかに廃棄処理致します。応募締切:令和8年11月30日必着*応募前に必ず当機構の採用ページ(以下URL)にて公募情報をご確認下さい。【URL】https://www.nict.go.jp/employment/apply.html*年次有給休暇の付与は法定どおり*質問等がなければ事前電話連絡は不要です。【必要な経験知識・技能等続き】■デバイスの作製及び評価に関する業務にも従事できること■クリーンルーム内での実験業務に従事できること■英語で書かれた技術文書・マニュアルの読解に抵抗がないこと【あれば望ましい】■TCAD(Silvaco Victory等)によるプロセス又はデバイスシミュレーション経験■クリーンルームでの半導体デバイスプロセス経験■デバイスの電気特性評価の経験■半導体デバイスに関する研究開発又は製品開発の経験■熱解析、放射線影響解析又はマルチフィジックス解析の経験■ワイドギャップ半導体(SiC、GaN、Ga2O3等)に関する知識■外国籍研究員を含むチーム内での英語による日常的なコミュニケーション能力(流暢な会話力は問わない)■学会発表、論文投稿又は特許出願の経験 [受付年月日] 2026年11月6日 [紹介期限日] 2026年11月26日 [受理安定所] 立川公共職業安定所 |
| 社 名 | 国立研究開発法人 情報通信研究機構 |
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| 事業内容 | 情報通信の基礎的・基盤的研究から各種の応用 研究及び開発/高度通信・放送研究開発を行う者に対する支援/通信・放送事業分野に属する事業等の振興等*再雇用:労使基準により65歳まで |
| 所在地 | 東京都小金井市貫井北町4-2-1 |
| 従業員数 | 就業場所:1,653人 うち女性:543人 うちパート:123人 |
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応募方法 こちらの求人はハローワークの情報を転載しております。その為求人が既に終了している場合がございますので、整理番号をお控えの上、最寄りのハローワークにお問合わせ下さい
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